2016年5月，一场“蛇吞象”的画面正在进行。一个成立时间不过半年的年轻公司，竟然想通过 19.18 亿元，收购一家美国拥有28年历史的半导体设备公司（MTI）。

这家公司就是：屹唐半导体。2015年12月，它由北京亦庄国投发起成立，初始定位为半导体设备技术开发与制造，但缺乏核心技术。亦庄国投的收购阳谋是：用资金换技术。

完成这场交易的关键人物是陆郝安。从物理学博士到英特尔技术骨干，再到执掌国产设备龙头，他的职业生涯恰似中国半导体产业发展的缩影。

2016年，他临危受命，操盘屹唐收购美国MTI，并非简单“买技术”，而是将MTI的技术与中国市场做结合，实现弯道超车。

9年后的今天，弯道超车的局面正在发生。

2025年7月8日，屹唐半导体以770亿元市值登陆科创板，是今年以来北京地区最大的IPO（募资额），也是亦庄国资孵化的最大规模科技IPO。

屹唐半导体的主要业务是：集成电路制造设备。其中，收入占比最高的产品是：干法去胶设备。2023年全球市场份额达34.60%，位居全球第二。

我们来看看：这家超级独角兽背后，揭示了哪些国家级机会？

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陆郝安是怎么成为国内半导体的产业推手的？且看他的成长故事。

1977年，陆郝安考入中国科学技术大学，攻读物理学本科。

1982年毕业后，他通过CUSPEA项目（中美联合培养物理类研究生计划）赴美深造，在弗吉尼亚大学获得固态物理学博士学位。

1990年代，他在美国西北大学和北卡罗来纳州立大学担任科学研究员，专注于电子与光学薄膜领域。

4年后，他加入应用材料公司（全球最大半导体设备商），从高级工艺工程师晋升至项目主管，首次接触芯片制造核心工艺，意识到设备决定技术的天花板。

随后，他加入英特尔。1997年调入硅谷技术制造工程部，参与芯片量产研发，6年一线经验，让他掌握“从实验室到量产”的全流程。

2003年，他调任中国，主导两项关键任务：

大连芯片厂建设：负责亚洲首家12英寸厂（Fab 68）的设备供应链管理，推动本土化采购；

政府事务开拓：任英特尔中国公共事务总监4年，协调政府关系与教育项目，奠定产业政策理解力。

2009年，他出任SEMI中国区（国际半导体设备与材料协会）总裁。

他与屹唐半导体的故事，开始于7年后的2015年。

当年12月，北京亦庄国投成立“屹唐半导体”，初始定位为半导体设备技术开发与制造，但缺乏核心技术。

于是次年，亦庄国投收购美国Mattson Technology，陆郝安临危受命出任CEO。MTI成立于1989年，拥有干法去胶、快速热处理等核心技术，客户包括台积电、三星等巨头。

这正好填补的屹唐半导体的弱项。

干法去胶和快速热处理，是半导体芯片制造中的关键工艺设备技术。

前者像“洗玻璃”一样，能去除芯片制造中残留的光刻胶（一种用于图案化的光敏材料）。

后者像“微波炉加热”一样，能在几秒内将晶圆加热到1000℃以上，用于激活掺杂原子或修复晶格损伤。

2018年，屹唐北京亦庄工厂投产，首台国产化干法去胶设备下线。它将MTI设备制程能力从65nm提升至5nm，快速热处理设备全球市占率达13.05%（第二）。同时，产品打入台积电5nm产线、三星DRAM生产线，国内12英寸晶圆厂覆盖率从15%跃升至60%。

2018年，屹唐半导体营收突破2.52亿美元，扭亏为盈。2020年，屹唐连获三轮融资，引入红杉中国、IDG资本、深创投等机构，估值飙升至200亿元，成为妥妥的超级独角兽。

近三年，屹唐半导体的业绩呈现”V型”反转：2022年营收47.6亿元、净利3.8亿元开局稳健，但2023年受行业周期影响营收下滑17%至39.3亿元。

随着国产替代加速，2024年公司再次复苏，营收增长18%达46.3亿元，净利润更同比飙升75%至5.4亿元。

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从以上故事，相信你也看到了：屹唐半导体是典型的国家队。实控人为北京经开区管委会，亦庄国投持股45.05%。

这也侧面说明了，屹唐半导体要解决的，其实是一个国产替代的问题。

刻蚀设备是芯片制造的核心装备之一，其精度直接决定晶体管结构的纳米级成型质量。

目前，屹唐的干法刻蚀设备虽已进入三星、长江存储的供应链，其设备可用于65nm到5nm逻辑芯片制造。

相比之下，泛林半导体的等离子刻蚀机已全面覆盖3纳米工艺，其极紫外（EUV）兼容刻蚀技术更是领先。

更严峻的是，国际巨头正通过“技术迭代+生态绑定”巩固垄断地位。

应用材料（AMAT）与泛林联合推出的“原子层刻蚀”方案，可将误差控制在0.1纳米以内，而屹唐的毫秒级温控技术尚无法实现同等级别的均匀性。

台积电等头部晶圆厂更倾向于采用“设备全家桶”——刻蚀、沉积、检测设备来自同一供应商以确保兼容性，这使得屹唐这类单一产品线企业难以打入先进制程产线。

面对悬殊的差距，屹唐的研发策略并非硬碰硬，而是依托其2016年收购美国MTI的技术遗产，走出一条“嫁接式创新”路径。

比如，借鉴MTI在快速热处理设备上的双晶圆传输技术，开发可同步处理两片晶圆的刻蚀腔体，将生产效率提升40%，成本降低30%。

这种差异化路线，在部分产品上实现了弯道超车。在3D NAND闪存领域，屹唐的高深宽比刻蚀设备凭借侧壁保护技术，良率比泛林同类产品高出5%，打入美光科技128层堆叠产线。

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屹唐也揭示了半导体国产化的结构性机会。

据Gartner数据，2025年中国大陆半导体设备市场规模将突破500亿美元，但部分环节国产化率不足20%，尤其在刻蚀、薄膜沉积等关键环节仍依赖进口。

芯片制造各环节的国产化程度统计

一个关键的核心原因是：刻蚀机和薄膜沉积设备需要实现原子级精度控制。

例如，5nm刻蚀机的等离子体能量波动需控制在0.1%以内，而国产设备在均匀性和稳定性上仍落后国际巨头2-3代。

薄膜沉积设备中，原子层沉积（ALD）技术对膜厚控制要求达0.1nm（相当于1个原子层），而国产设备在7nm以下节点的台阶覆盖率不足90%，远低于应用材料（AMAT）的99.5%。

此外，在核心零部件，国内厂商很依赖进口。

刻蚀机的射频电源被美国MKS垄断）、真空泵被德国普发主导，薄膜沉积设备的气体分配系统被日本Horiba控制，部分关键部件国产化率不足10%。

这些大背景下，就给了国产企业几大机会。

首先是核心零部件的“国产替代窗口期”。2024年，国内部分企业被列入实体清单后，刻蚀机中超50%的进口零部件面临断供，比如射频电源、真空泵等。

美国出口管制，将倒逼中国加速供应链自主化。

其次是差异化技术路线的“换道超车”。

与国际巨头在硅基先进制程“硬碰硬”不同，中国企业正通过细分领域的技术弯道超车。

比如在第三代半导体设备上，中微半导体联合宁德时代开发的车规级碳化硅刻蚀机，良率突破92%。

比如在先进封装设备上，屹唐半导体将美国MTI的退火技术与刻蚀工艺结合，推出“刻蚀-退火”一体化设备，获长电科技小批量订单。

总而言之，中国半导体设备的竞争是马拉松长跑，而非冲刺。长跑并不是中国企业的挑战，而是机会。

本文来自微信公众号“铅笔道”（ID：pencilnews），作者：铅笔道，36氪经授权发布。